Nand Flash学习笔记2-Program的介绍

编程原理         编程是通过FowlerNordheim (FN)隧穿来实现的，给TOX(Tunnel Oxide，隧道氧化物）增加强电场时，电子可以通过TOX，进入浮栅。优点是电流小，可以多个Cells同时操作。 图1 编程过程中电压情况 Program         如图1-i中为需要编程的Cell，它所在的WL3增加编程电压Vpp=20V，通道为0V，此时有足够的强电场进行编程操作

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