存储器国产化为何选3D NAND作为突破口？

在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。   为什么中国要发展存储产业 在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析

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