高端存储器研发再获突破 集成电路国产化进程加快

  近日，长江存储和中科院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。 存储器作为我国集成电路支柱产业，目前主要依赖进口，我国对DRAM和NAND Flash产品需求占全球消费量的比例超过20%。同时，存储器也是半导体产业资本

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