FRAM具有无限的续航能力和即时写入能力

FRAM存储器提供即时写入功能，无限的耐用性和接近零的软错误率，以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣，因为其使用解决了这些缺点。 这些吸引人的特性是锆钛酸铅（PZT）是其中一种材料的铁电性能的结果。PZT具有钙钛矿晶体结构，中心有一个阳离子（见图1）。该阳离子可以处于两个位置之一，并且可以通过施加电场来切换位置。每个转换都会产生“开关电荷”（Q s）

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