4D NAND 也来了！宏旺半导体告诉你与3D NAND有什么区别？

在5G手机的带动之下，产业逐渐复苏，128层堆栈的4D NAND Flash也即将量产。随着SSD的普及，NAND这个词逐渐进入用户们的视线，许多商家会在产品宣传中提到4D NAND、3D NAND等词汇，但对于新手小白来讲，也许还不知道这些究竟表明着什么意思。今天，宏旺半导体就来跟你们科普什么是3D NAND、4D NAND，有什么区别。

要了解这些含义，首先要知道什么是NAND。宏旺半导体以前提到过，存储能够分为就是易失性存储和非易失性存储，非易失性存储在断电的状况下数据不会丢失，会保持长期的存储，于是NAND属于非易失性闪存存储器，一般用来制造SSD存储数据。

随着人们需求的不断增长，受到有限宽度和长度尺寸内容纳存储器单元的限制。2D NAND容量已达到其开发的极限，利用2D NAND很难在SSD容量方面上继续增长。因而，3D NAND应运而生。3D NAND可带来更好的性能，更低的成本以及更高的密度。

据宏旺半导体了解，3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，便是指立体结构的闪存。若是平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每一个存储单元的单位面积能够大幅降低。

目前市场上已经有15TB及以上的3D NAND SSD，正在开发的SSD存储容量甚至可以高达6PB。但这这么大容量的SSD很昂贵，由于它们不只须要纯粹的容量，还须要智能控制器和快速的性能，但3D NAND SSD仍是有不少大容量业务场景用户需求的。也正由于3D NAND的技术，使得部分采用相应技术的TLC产品达到了MLC的性能，就是咱们常说的3D TLC。

但3D NAND也有着本身的劣势，随着先进的工艺带来的更大的容量，3D NAND的可靠性和稳定性以及性能方面都在降低，由于工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就须要采起额外手段弥补这一问题，这必然会提升成本。

那即将出货的4D NAND 跟3D NAND有什么区别吗？其实，据宏旺半导体了解，本质上仍是3D NAND Flash，只不过单芯片采用4层架构设计，结合了3D CTF (电荷捕获闪存) 设计、PUC (Peri. Under Cell) 技术，PUC是指制造NAND Flash时先造成周边区域再堆栈晶体，有助于缩小芯片面积。因此，取名4D NAND Flash彷佛只是为了比较好营销。

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