IGBT与MOS管的区别，IGBT与可控硅的区别，IGBT驱动电路设计

    IGBT和MOS管的区别： 　　IIGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT； 多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低； MOS就是MOSFET的简称了； IGBT和MOS

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