IBM与三星研发MRAM 成果在数年内或将全面推出

11纳米自旋力矩存储器正蓄势待发   在IBM Research大会发布的创新成果当中，我们赫然发现传说中已经拥有二十年开发历史的非易失"通用型"磁性随机访问存储器（简称MRAM）正在进行升级。IBM方面日前（7月7日）表示，通过与代工巨头三星公司的合作，其正在利用自旋转移力矩（简称STT）设计对MRAM加以进一步完善。 速度比闪存更快，密度较动态随机访问存储器（DRAM）更高，这种通用型存储器方

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