痞子衡嵌入式：并行接口NAND标准(ONFI)及SLC Raw NAND简介

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　　你们好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给你们介绍的是ONFI标准及SLC Raw NAND。

　　NAND Flash是嵌入式世界里常见的存储器，对于嵌入式开发而言，NAND主要分为两大类：Serial NAND、Raw NAND，这两类NAND的差别是很大的（软件驱动开发角度而言），即便你掌握其中一种，也不表明你能了解另外一种。
　　Raw NAND是相对于Serial NAND而言的，Serial NAND即串行接口的NAND Flash，而Raw NAND是并行接口的NAND FLASH，早期并行接口通讯数据率是明显高于串行通讯数据率的，但随着串行通讯速度愈来愈快，并行接口速度优点显得不那么重要了，反而因信号线太多致使设计成本较高（PCB走线复杂）显得有点不合潮流。但其实这么说对Raw NAND是不公平的，如今的Serial NOR/NAND信号线其实也很多，好比高速的串行HyperFlash信号线数量已经直逼x8 bit的Raw NAND FLASH，因此Raw NAND市场仍是坚挺的，你会发现各大存储厂商都还在不断推出Raw NAND FLASH产品。

1、ONFI标准由来

　　说到Raw NAND发展史，其实早期的Raw NAND没有统一标准，虽然早在1989年Toshiba便发表了NAND Flash结构，但具体到Raw NAND芯片，各厂商都是自由设计，所以尺寸不统1、存储结构差别大、接口命令不通用等问题致使客户使用起来很难受。为了改变这一现状，2006年几个主流的Raw NAND厂商（Hynix、Intel、Micron、Phison、Sony、ST）联合起来商量制订一个Raw NAND标准，这个标准叫Open NAND Flash Interface，简称ONFI，2006年12月ONFI 1.0标准正式推出，此标准一经推出大受欢迎（好像不欢迎也不行，那些大厂说了算啊），此后几乎全部的Raw NAND厂商都按照ONFI标准设计生产Raw NAND，今后Raw NAND世界清静了，无论哪家生产的Raw NAND对嵌入式设计者来讲几乎都是同样的，至少在驱动代码层面是同样的，那么各厂商竞争优点在哪呢？主要在三个方面：数据存取速率、ECC能力、ONFI以外的个性化功能。
　　你能够从 ONFI官网 下载ONFI标准手册，从2006年推出1.0标准至今，ONFI标准已经发展到4.1，这也说明了Raw NAND技术在不断更新升级。

2、SLC Raw NAND原理

2.1 Raw NAND分类

　　从软件驱动开发角度而言，Raw NAND能够从如下几个方面进一步细分：

单元层数(bit/cell)：SLC（1bit/cell） / MLC（2bit/cell） / TLC（3bit/cell） / QLC（4bit/cell）
数据线宽度：x8 / x16
信号线模式：Asynchronous / Synchronous
数据采集模式：SDR / DDR
接口命令标准：非标 / ONFI

　　本文的主要研究对象是兼容ONFI 1.0标准的Asynchronous SDR SLC NAND Flash。

2.2 Raw NAND内存模型

　　ONFI规定了Raw NAND内存单元从大到小最多分为以下5层：Device、LUN(Die)、Plane、Block、Page（以下图所示），其中Page和Block是必有的，由于Page是读写的最小单元，Block是擦除的最小单元。而LUN和Plane则不是必有的（如没有，可认为LUN=1, Plane=1），通常在大容量Raw NAND（至少8Gb以上）上才会出现。

　　根据以上5层分级的内存模型，Raw NAND地址也很天然地由以下图中多个部分组成:

Raw NAND Address = LUN Addr + Block Addr + Page Addr + Byte Addr (Column Addr)

　　可能有朋友对Plane Address bit的位置有疑问，其实结合上面内存模型图就不难理解了，每一个Plane里包含的Block并非连续的，而是与其余Plane含有的Block是交错的。

2.3 Raw NAND信号与封装

　　ONFI规定了Raw NAND信号线与封装，以下是典型的x8 Raw NAND内部结构图，除了内存单元外，还有两大组成，分别是IO控制单元和逻辑控制单元，信号线主要挂在IO控制与逻辑单元，x8 Raw NAND主要有15根信号线（其中必须的是13根，WP#和R/B#能够不用），关于各信号线具体做用，请查阅相关文档。

　　ONFI规定的封装标准有不少，好比TSOP4八、LGA5二、BGA63/100/132/152/272/316，其中对于嵌入式开发而言，最经常使用的是以下图扁平封装的TSOP-48，这种封装经常使用于容量较小的Raw NAND（1/2/4/8/16/32Gb），1-32Gb容量对于嵌入式设计而言差很少够用，且TSOP-48封装易于PCB设计，所以得以流行。

2.4 Raw NAND接口命令

　　ONFI 1.0规定了Raw NAND接口命令，以下表所示，其中一部分是必需要支持的（M），还有一部分是可选支持的（O）。必须支持的命令里最经常使用的是Read(Read Page)、Page Program、Block Erase这三条，涵盖读写擦最基本的三种操做。

　　除了读写擦这三个最基本命令外，还有一个必有命令也很是经常使用，这个命令是Read Status，用于获取命令执行状态与结果，ONFI规定Raw NAND内部必须包含一个8bit的状态寄存器，这个状态寄存器用来存储NAND命令执行状态与结果，其中有两个bit（RDY-SR[6]和FAIL-SR[0]）须要特别关注，RDY用于指示命令执行状态（这个bit与外部R/B#信号线功能是一致的），FAIL用于返回命令执行结果（主要是有无ECC错误）。

　　此外，还有一个必有命令不得不提，这个命令是Read Parameter Page，用于获取芯片内部存储的出厂信息（包括内存结构、特性、时序、其余行为参数等），这个Parameter Page大小为256Bytes，其结构已由ONFI规定以下表，痞子衡已经圈出了一些重要信息，在设计NAND软件驱动时，能够经过获取这个Parameter Page来作到代码通用。

2.5 Raw NAND数据速率

　　前面讲了，数据存取速率这个技术指标是各厂商竞争力的体现，对于这个指标，其实ONFI标准定义了一部分，咱们知道Raw NAND数据存取操做是以Page为单位的，Page操做时间决定了数据存取速率，Page操做时间由3部分组成：

Page操做时间（t_ReadPage） = Page命令操做时间（t_Cmd） + Page命令执行等待时间（t_Busy） + Page数据操做时间（t_Data）

　　以上三部分时间里，ONFI定义了Page命令/数据操做时间标准，但Page命令执行等待时间没法强制，所以各厂商NAND速度差别主要是这个Page命令执行等待时间不一样形成的。
　　以异步模式Read Page命令（0x00 - 0x30）为例讲解，下图是Read Page完整时序简图，0x00是主机发送的第一个字节，用于通知NAND Device主机想要读取Page，随后的5个字节发送的是地址数据，用于通知NAND Device主机想要从什么地址获取数据，0x30是主机发送的最后一个字节，用于通知NAND Device读取Page命令发送已经完成，至此命令操做周期已经结束，NAND Device此时开始进行内部处理流程：拉低外部引脚R/B#或将内部寄存器SR[6]置0代表我正在忙，而后从内存块里将主机指定地址所在的Page数据所有拷贝到临时缓存区（Page Buffer），对这一整个Page数据进行ECC校验，如Page数据校验经过，拉高外部引脚R/B#或将内部寄存器SR[6]置1代表我已经准备好了，至此命令执行等待周期已经结束，主机开始按Byte依次将Page数据读出来，全部Page数据所有都被读出来后，整个Read Page时序就结束了。

　　下图是命令/地址操做具体时序，根据时序图咱们能够粗略计算出t_Cmd：

t_Cmd = (cmdBytes + addrBytes) x (t_WP + t_WH) = 7 * (t_WP + t_WH)

　　下图是数据读取操做具体时序，分为两种：Non-EDO模式（RE#上沿采样数据）和EDO模式（RE#下沿采样数据），从图中咱们知道t_RC是RE#信号的一个周期，通俗地说，Non-EDO模式通常用于低速模式（即t_RC > 30ns时），而EDO模式通常用于高速模式（即t_RC < 30ns时）。根据时序图咱们能够粗略计算出t_Data：

t_Data = dataBytesInOnePage * t_RC

　　让咱们把t_Cmd和t_Data代入t_ReadPage计算公式可得以下等式，咱们知道其中t_Busy是没法得知的，那么其余三个时间t_WP、t_WH、t_RC究竟是多少呢？

t_ReadPage = 7 x (t_WP + t_WH) + t_Busy + dataBytesInOnePage * t_RC

　　继续查看ONFI手册能够找到答案，ONFI规定了六种timing mode（0-5），timing mode table里指明了全部时序相关的参数数值范围，固然也包括t_WP、t_WH、t_RC，以最快的timing mode 5来计算：

t_ReadPage = 7 x 20ns + t_Busy + dataBytesInOnePage * 20ns = (dataBytesInOnePage + 7) x 20ns + t_Busy

　　咱们彷佛离答案更近一步了，但t_Busy是多少这个问题始终困扰着咱们，其实痞子衡带你绕了路，想要知道Read Page的时间没有这么复杂，咱们能够从任何一款Raw NAND数据手册的扉页Features里直接找到答案，以下是Micron生产的型号为MT29F4GxxABBxA的部分feature：

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant
• Single-level cell (SLC) technology
• Organization
  – Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)
  – Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)
  – Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
  – Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane
  – Device size: 4Gb: 4096 blocks; 8Gb: 8192 blocks; 16Gb: 16,384 blocks
• Asynchronous I/O performance
  – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• Array performance
  – Read page: 25μs
  – Program page: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V)
  – Erase block: 700μs (TYP)
• Operating voltage range
  – VCC: 2.7–3.6V
  – VCC: 1.7–1.95V

　　从feature里咱们能够知道t_ReadPage最小为25us（此数值应是在x16 bits，timing mode 5下得出的最快速度），那么能够反算出t_Busy = 25us - 20ns * （1024 + 7） = 4.38us，知道了t_Busy让咱们计算一下x8 bits下的t_ReadPage = 20ns * （2048 + 7） + 4.38us = 45.48us，再计算x8 bits下的读取数据率 2048Bytes / 45.48us = 360.246Mbps，这个数据率对于普通嵌入式应用来讲实际上是够快的。

2.6 Raw NAND坏块与ECC

　　Raw NAND开发绕不开坏块（Bad Block）问题，这是NAND Flash区别于NOR Flash的一个重要特色。NAND技术上容许坏块的存在，这下降了NAND生产工艺要求，所以NAND单位容量价格比NOR低。
　　既然物理上的坏块没法避免，那有什么方法能够改善/解决坏块问题呢？方法固然是有的，这个方法就是ECC（Error Correcting Code），ECC的具体实现原理详见痞子衡的另外一篇文章 汉明码校验(Hamming Code SEC-DED)，在这里你只须要知道ECC是一种错误检测与纠正算法，它经过对必定量的数据块（通常是256/512bytes）进行计算获得ECC码（通常8bytes），在Page Program时将原始Page数据与ECC码一同存入NAND Flash，在Read Page时同时获取Page数据与ECC码再进行一次计算，若是该Page数据没有ECC错误或者bit错误可以被ECC码纠正，那么Page读写操做就可以正常进行，若是bit错误个数太多不可以被纠正，那么该Page所在的块就应该被认定为一个坏块。
　　ECC能力主要根据纠正单数据块中错误bit个数来区分的，最基本的ECC只可以纠正1bit错误，强一点的ECC能够纠正4或者8个甚至更多的错误bit。
　　让咱们用一款实际芯片来具体分析坏块与ECC，依旧之前面分析过的Micron生产的型号为MT29F4G08ABBxA为例，下图是其内存结构图，从图中咱们能够知道这款NAND的Page大小为2KB，但若是你仔细看，你会发现每一个Page还额外含有64Bytes数据，这个64Bytes区域即所谓的Spare Area，这个区域究竟是干吗用的呢？

　　下图是Spare Area的mapping图，因为每一个Page是2KB，而ECC计算块是512Bytes，所以Page区域被均分为4块，分别是Main 0、一、二、3，每块大小为512Bytes，而相应的Spare Area也被均分为4块，分别是Spare 0、一、二、3，每块大小为16bytes，与Main区域一一对应。每一个Spare x由2bytes坏块信息、8bytes ECC码、6bytes用户数据组成。要特别说一下的是ECC区域，当芯片硬件ECC功能开启时，8bytes ECC码区域会被自动用来存储ECC信息，而若是芯片没有硬件ECC功能，这个区域能够用来手动地存放软件ECC值。

　　下图是芯片Error管理相关信息，也包含了ECC，从图中咱们能够知道这款芯片ECC是4bits，坏块是用0x00来标识的，而且承诺该芯片出厂时每一个Die里所含有的4096个block最多只会有80个坏块。这些信息除了在芯片手册里能够找到以外，前面介绍过的ONFI Parameter Page也一样记录了。

2.7 Raw NAND个性化功能

　　Raw NAND还有一些个性化的功能，这个是因厂商而异的，ONFI规定了两个可选的命令Get/Set Feature，个性化功能能够经过Get/Set Feature命令来扩展。下表是ONFI 1.0规定的Feature address范围，其中0x01是Timing Mode，0x80-0xFF用于各厂商实现本身的特点功能。

　　关于Timing Mode地址的具体定义以下，ONFI规定芯片上电初始为Timing mode 0，即最低速的模式，若是咱们想要更快的NAND访问速度，必须使用Set feature命令将Timing mode设置到想要的数值。

　　继续之前面分析过的Micron生产的型号为MT29F4G08ABBxA为例，下图是该芯片的Feature定义，除了ONFI规定以外，还定义了本身的特点部分（0x80, 0x81, 0x90）。

　　好比0x90定义的Array operation mode，咱们能够经过其实现OTP控制以及硬件ECC的开关。

3、SLC Raw NAND产品

　　Raw NAND厂商产品有两种，一种是裸Raw NAND芯片，另外一种是含Raw NAND的存储方案（好比SSD硬盘），对于嵌入式开发而言，咱们更关心的是裸Raw NAND芯片产品，下面痞子衡收集了能够售卖SLC Raw NAND芯片的厂商及产品系列：

厂商	芯片系列	官方网址
Micron	MT29F	https://www.micron.com slc-nand-part-catalog
Numonyx	NAND256, NAND512	https://www.micron.com slc-nand-part-catalog
Macronix	MX30LF, MX60LF	http://www.macronix.com slc-nand-part-catalog
Winbond	W29N	http://www.winbond.com.tw slc-nand-part-catalog
Spansion	S34ML, S34MS, S34SL	http://www.cypress.com/ slc-nand-part-catalog
ISSI	IS34ML, IS34MW	www.issi.com slc-nand-part-catalog
Toshiba	TC58B, TC58N	http://toshiba.semicon-storage.com
SK Hynix	H27U	http://www.hynix.com slc-nand-part-catalog
Samsung	K9F, K9K	http://www.samsung.com/semiconductor/

　　至此，ONFI标准及SLC Raw NAND痞子衡便介绍完毕了，掌声在哪里~~~