3.3.0闪存架构

区别于动态随机存取存储器（DRAM）和静态RAM（SRAM），闪存是“大多数读取”设备。因为其读取速度很快，读一个byte大约需要20ns。 而写入速度很慢，想要写一个cell，必须先erase擦除 cell所在的sector，将所有cell写为1，然后再去program特定位置的位置（1变为0）。 由于擦除只能阵列级别擦除，所以我们将chip分为很多小块（sector/block），block一

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