CMOS工艺，Al/Si接触中的尖楔现象
1. Si在Al中的扩散 Si在Al中的溶解度比较高，在400-500℃退火温度范围内，Si在Al薄膜中的扩散系数比在晶体Al中大40倍。这是因为Al薄膜通常为多晶，杂质在晶界的扩散系数远大于在晶粒内的扩散系数。 2. Al/Si接触中的尖楔现象 由于硅在铝中的溶解度较大，Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散离开接触孔的同时，Al也会向接触内运动、填充因Si离开而留下的空间。如果Si不均匀地溶解到A
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