如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

采用FRAM的MCU为什么就能具备诸多优点呢?举例说明:TI作了一个实验，若是要写13Kbps的数据到DRAM里须要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去作写的功能，但若是用FRAM来作只要10ms、9uA就能够把数据写完。经过比较能够看到，若是要写不少数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会更快而所需功耗却最低。
 
从擦写数据次数来看，通常存储器写一万来次就到了极限，可FRAM能够在写了10次方后仍可继续进行擦写操做。因为FRAM速度和SDRAM写的速度差很少相同，在整个MCU架构里，TI作了总体化的类选，就是说放16个FRAM在1个MCU里，这时候FRAM能够当SDRAM使用，也能够充当Flash以及EEPROM去使用,这样总体存储器用起来效率更高，使用更方便，这是一个全新的MCU存储技术。
 
在应用层上FRAM适用于什么地方呢?应用在传感器上FRAM的优点可明显体现出来，FRAM可快速将传感器获得的数据记录下来，若是用Flash来作就会数据写的时间很长，传感器数据读完后再写，反复间断性读写动做使每一个数据点都是分开的，没法作到数据读写的连续性。在射频的应用上，Flash因速度的限制会使功耗上升的很高。若是用FRAM读取与传输都是在同步高速进行，节省时间的同时也让功耗大幅下降。
 
如在传感器数据记录上，其它存储介质因为功耗的缘由而对传感器的安放地点要有所限制，增长了维护成本。而采用FRAM的MCU经过能量收集技术，使得能在更多的位置安放更多的传感器。
 
因为目前MCU存储介质大都采用Flash，因此FRAM针对内存Flash的优点天然被TI视为第一比较对象。若有限的数据更新/写入速度与连续且可靠的监视、存储和RF传输;选择性监视与连续监视;消耗长达1个月的电池寿命与耗用不到6小时的电池寿命:数据块级擦除及编程与位级存取;须要冗余(镜像）存储块与可在电源丢失的状况下保证写入操做等。