模电之半导体基础篇2（PN结）

文章目录 一、PN结的形成 二、PN结的动态平衡 三、PN结的正反偏置 四、电流的估算、PN结的击穿性 五、PN结的电容 一、PN结的形成 1、过程 使用工艺，将P区域N区分散在左右两边，在浓度差作用下：电子从N取向P区扩散，空穴从P区向N区扩散 2、PN结 经过这样的多子（N区电子与P区空穴）互相扩散的过程之后，会在P区和N区的交界面上，留下一层不能移动的正离子（N区）、负离子（P区）。该层称作

>>阅读原文<<