STM32 FLASH模拟EEPROM实验
STM32自己没有自带EEPROM，可是STM32具备IAP（在应用编程）功能，因此咱们能够把它的FLASH当成EEPROM来使用。 编程
1 STM32 FLASH简介
不 同型号的STM32，其FLASH容量也有所不一样，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。 electron
STM32的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。 函数
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页 只有1K字节。从上图能够看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的。 lua
信息块，该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则通常用于配置写保护、读保护等功能，本章不做介绍。 spa
闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。 设计
对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。 指针
在执行闪存写操做时，任何对闪存的读操做都会锁住总线，在写操做完成后读操做才能正确地进行；既在进行写或擦除操做时，不能进行代码或数据的读取操做。 code
闪存的读取内置闪存模块能够在通用地址空间直接寻址，任何32位数据的读操做都能访问闪存模块的内容并获得相应的数据。读接口在闪存端包含一个读控制器，还包含一个 AHB接口与CPU衔接。这个接口的主要工做是产生读闪存的控制信号并预取CPU要求的指令块，预取指令块仅用于在I-Code总线上的取指操做，数据常 量是经过D-Code总线访问的。这两条总线的访问目标是相同的闪存模块，访问D-Code将比预取指令优先级高。 接口
这里要特别留意一个闪存等待时间，由于CPU运行速度比FLASH快得多，STM32F103的FLASH最快访问速度≤24Mhz，若是CPU频率超过这 个速度，那么必须加入等待时间，好比咱们通常使用72Mhz的主频，那么FLASH等待周期就必须设置为2，该设置经过FLASH_ACR寄存器设置。 ip
例如，咱们要从地址addr，读取一个半字（半字为16为，字为32位），能够经过以下的语句读取：
data=*(vu16*)addr;
将 addr强制转换为vu16指针，而后取该指针所指向的地址的值，即获得了addr地址的值。相似的，将上面的vu16该位vu8，便可读取指定地址的一 个字节。相对FLASH读取来讲，STM32 FLASH的写就复杂一点了，下面咱们介绍STM32闪存的编程和擦除。
闪存的编程和擦除
STM32的闪存编程是由FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含7个32位寄存器，他们分别是：
l FPEC键寄存器(FLASH_KEYR)
l 选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
l 闪存控制寄存器(FLASH_CR)
l 闪存状态寄存器(FLASH_SR)
l 闪存地址寄存器(FLASH_AR)
l 选择字节寄存器(FLASH_OBR)
l 写保护寄存器(FLASH_WRPR)
其中FPEC键寄存器总共有3个键值：
RDPRT键=0X000000A5
KEY1=0X45670123
KEY2=0XCDEF89ABSTM32复位后，FPEC模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器；经过写入特定的序列到FLASH_KEYR寄存器能够打开FPEC模块（即写入KEY1和KEY2），只有在写保护被解除后，咱们才能操做相关寄存器。
STM32闪存的编程每次必须写入16位（不能单纯的写入8位数据哦！），当FLASH_CR寄存器的PG位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC都会产生总线错误。在编程过程当中(BSY位为’1’)，任何读写闪存的操做都会使CPU暂停，直到这次闪存编程结束。
一样，STM32的FLASH在编程的时候，也必需要求其写入地址的FLASH是被擦除了的（也就是其值必须是0XFFFF），不然没法写入，在FLASH_SR寄存器的PGERR位将获得一个警告。
STM23的FLASH编程过程如图所示：
从上图能够获得闪存的编程顺序以下：
l 检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，若是没有则先解锁
l 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其余正在进行的编程操做
l 设置FLASH_CR寄存器的PG位为’1’
l 在指定的地址写入要编程的半字
l 等待BSY位变为’0’
l 读出写入的地址并验证数据
前面提到，咱们在STM32的FLASH编程的时候，要先判断缩写地址是否被擦除了，因此，咱们有必要再绍一下STM32的闪存擦除，STM32的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。页擦除过程以下图所示
从上图能够看出，STM32的页擦除顺序为：
l 检查FLASH_CR的LOCK是否解锁，若是没有则先解锁
l 检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其余正在进行的闪存操做
l 设置FLASH_CR寄存器的PER位为’1’
l 用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页
l 设置FLASH_CR寄存器的STRT位为’1’
l 等待BSY位变为’0’
l 读出被擦除的页并作验证软件设计：
#include "Flash.h"
u32 StartAddr = 0x0801F800; //要写入Flash的数据的首地址--FLASH起始地址
u32 EndAddr = 0x0801FFFF; //要写入Flash的数据的末地址--FLASH结束地址
u32 FlashAddress=0x00;//Flash的内部地址
vu32 NbrOfPage = 0x00; //要擦除的页面数量
u32 data = 0;
//u32 *p=(u32 *)0x08008000; //定义指针指向要传送的数据的地址
volatile FLASH_Status FLASHStatus;
volatile TestStatus MemoryProgramStatus;
ErrorStatus HSEStartUpStatus;
/*******************************************************************************
* Function Name : Writeflash
* Description : 写函数 把数据从CPU写到FLASH中
*
* Input : u8 Erasenumber,u32 *Data，输入要擦除的页面和要写入的数据的地址
* Output : None
* Return : None
*******************************************************************************/
void Writeflash(u8 Erasenumber ,u32 *p,u8 start,u8 end)
{
int i = start;
FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
MemoryProgramStatus = PASSED;
/* Unlock the Flash Program Erase controller */
FLASH_Unlock(); //FLASH解锁
/* Clear All pending flags */
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清标志位
//擦除后写数据
//*******************************************************************************
//一次擦除1页
/* Define the number of page to be erased *///定义要擦出的页面的数量
NbrOfPage = (EndAddr - StartAddr) / FLASH_PAGE_SIZE;
/* Erase the FLASH pages *///页面擦除子程序
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(StartAddr + (FLASH_PAGE_SIZE * NbrOfPage));
//写数据
FlashAddress = StartAddr+4*start;
while((FlashAddress < EndAddr) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE) && i<end)
{
FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(FlashAddress, *(p+i));//*p);
i++;
FlashAddress = FlashAddress + 4;
}
}
/*******************************************************************************
* Function Name : Readflash
* Description : 读数据，从FLASH中读出须要的数据
*
* Input : None
* Output : Data输出要取出的数据
* Return : None
*******************************************************************************/
void Readflash(u32 *p,u8 start,u8 end) //
{
int j = start;
FlashAddress = StartAddr+4*start;
//读数据
while(j<end)
{
*(p+j) = *(u32*)(FlashAddress+4*j);
j++;
}
}
#ifndef _FLASH_H
#define _FLASH_H
/* Includes ------------------------------------------------------------------*/
#include "stm32f10x_flash.h"
/* Exported types ------------------------------------------------------------*/
/* Exported constants --------------------------------------------------------*/
/* Uncomment the line corresponding to the STMicroelectronics evaluation board
used to run the example */
#if !defined (STM32_DK_128K) && !defined (STM32_EK)
//#define USE_STM3210B_EVAL
#define STM32_EK
#endif
/* Define the STM32F10x hardware depending on the used evaluation board */
#ifdef STM32_DK_128K
#define FLASH_PAGE_SIZE ((u16)0x400) //1024 1K
#elif defined STM32_EK
#define FLASH_PAGE_SIZE ((u16)0x800) //2048 2K
#endif /* USE_STM3210B_EVAL */
/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
typedef enum {FAILED = 0, PASSED = !FAILED} TestStatus;
/* Private define ------------------------------------------------------------*/
/* Private macro -------------------------------------------------------------*/
/* Private variables ---------------------------------------------------------*/
void Writeflash(u8 Erasenumber ,u32 *p,u8 start,u8 end);
void Readflash(u32 *p,u8 start,u8 end) ;
/* Exported macro ------------------------------------------------------------*/
/* Exported functions ------------------------------------------------------- */
#endif /* __PLATFORM_CONFIG_H */
Writeflash(0,Var_Compensate,0,6); Readflash(Var_Compensate,0,6)