内存延迟时间决定了内存的性能,这个参数越小,内存性能越好。内存延迟一般采用4个数字表示,中间用“-”隔开,以“10-10-10-27”为例,第一个数表明CAS(Column Address Strobe)延迟时间,也就是内存存取数据所需的延迟时间,即一般说的CL值;第二个数表明RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟,表示内存行地址传输到列地址的延迟时间;第三个数表示RAS Prechiarge延迟(内存行地址脉冲预充电时间);最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟(内存行地址选择延迟)。这4个延迟中最重要的指标是第一个参数CAS,它表明内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务,就像开车从发现危险到刹车同样须要必定的反应时间。这个时间只有长短之分而不可能消除,内存的CL值也不可能消除,通常来讲频率相同的内存CL值越小性能就越高。
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SPD测试 SPD(Serial Presence Detect串行存在探测),它是1个8针的SOIC封装(3mm*4mm)256字节的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM电可擦写可编程只读存储器)芯片。里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。SPD的信息通常用户不能修改,可是若是有必要也能够经过一些专门的软件(例如SPDTOOL等)对其进行刷新。url |