MOS管随笔记

MOS管 G：gate栅极   S：source源极  D：drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V，当栅源电压差为-0.4V，DS导通，S接入，D输出，       S为2.8V，G为2.8V，MOS管不导通         S为2.8V，G为1.8V，GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟

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