MOS管串联

MOS管串联 I-V曲线本来应该一样，但是由于effL，PSE的存在，以及间接导致的DIBL，都会让这两个曲线有区别 长沟道器件，两者近似。短沟道器件差别大。 其实单纯从W/L上考虑应该是没有区别的。 使用两个(或多个）串联，提高L。 我认为好处如下： 正如二楼所说，避免使用倒比管（W/L远小于1时）； 通过拆分为多个管子串联时，在layout上容易布局、匹配； 串联时，如果SD电压降低，一个管子

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