SRAM中灵敏放大器的原理

SRAM中灵敏放大器的原理

在SRAM 中，读操做开始前，先要对两条位线进行预充电，将两条位线初始化为相同的高电平。预充完后，字线选中的存储单元对位线进行充放电。存储单元尺寸很小，驱动能力很弱，且位线负载相对较大，因此两条位线输出的是都是绝对值较高的电压（3～3.5V），其高低电平相差很小。若是直接送入输出缓冲器，将没法识别逻辑0 和1，即便能识别也须要较长的充放电时间，严重影响了SRAM的读取速度和数据的可靠性。

灵敏放大器便是使小的差分输入电压放大成更大的输出电压。因为存储器中差分位线上的负载重，于是位线上的电压变化很是缓慢。为了下降延时，首先要使全部位线上的电压都相等接下来，当这些位线被驱动时，灵敏放大器就能够检测到一个小的电压摆幅并将其恢复到正常的逻辑电平。经过公式t∝(C/I)ΔV，其中，t位逻辑门的延时，C为负载电容，I为输出电流，ΔV为输出电压的摆幅，得知灵敏放大器电路经过避免等待位线上的电压变成全摆幅来下降延时.