全新耐高温2Mbit FRAM是ADAS存储的理想之选

FRAM是一种铁电存储器，它使用铁电膜作为电容来存储数据，即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写，高读写耐久性，低功耗，防篡改等方面具有优势。FRAM结合了ROM和RAM的特点，具有高速写数据，低功耗，高速读/写周期等优点。 富士通型号MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM，可在125℃高温下正常工作，工作电压可低至1.7V

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