物联网ram继承PSRAM的积极特性

IoT RAM便是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术，它增长了其余接口选项，例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口，以及SoC须要的易于使用的系统级封装（SiP）选项比内部SRAM更大的内存。

物联网ram继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术，该接口简化了产品设计，与SRAM相比下降了产品成本（下降了10倍），而且与SRAM相比具备更高的密度10倍IoT RAM还具备低延迟–容许从超低功耗模式快速唤醒和快速上电时间；也能够从待机模式瞬时唤醒；IoT RAM还容许超低电流消耗–一般<0.15至0。5uA/Mb取决于密度。密度越高，固定功率开销趋势就越低。

图1 IoT RAM在须要扩展内存的IoT/嵌入式应用程序中占据了最佳中间地带

因为PSRAM解决了与IoT/嵌入式应用中相似的设计约束，所以能够在功能电话产品中找到一席之地。物联网RAM基于PSRAM并经过低引脚数SPI或SiP选项进行接口，是须要性能，低成本和响应性的基于MCU/SoC/FPGA的功率受限解决方案的理想选择。利用低引脚数的SPI接口，能够进一步提升基于MCU/SoC/FPGA的设备的系统成本效率。

AP Memory具备成本效益的IoT RAM解决方案与大多数MCU/SoC/FPGA随附的SPI接口兼容，包括Quad-SPI和Octal-SPI接口。经过“系统级封装”（SiP）选项，AP内存启用了“超越摩尔”，这是增长系统内存的另外一种方法。