TB固态盘/UFS 3.0来了 三星量产全球最快64层3D闪存

三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb(32GB)、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。其实在今年1月，三星已经向关键的大客户出货采用64层 V-NAND介质的SSD产品，如今半年过去，产能扩充，消费级用户可以顺利用上了。新的闪存芯片将用于生产手机UFS存储、PC/服务器固态盘、外置存储卡等产品。 三星强调，新一代64层V-NAND的带宽速率高达1Gbps，是目前

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