用理论告诉你 三极管和MOS管的区别在哪

在电路设计当中假设咱们想要对电流停止控制，那就少不了三极管的帮助。咱们俗称的三极管其全称为半导体三极管，它的主要做用就是将微小的信号停止放大。MOS管与三极管有着许多相近的地方，这就使得一些新手不断没法明白二者之间的区别，本篇文章就将为你们引见三极管和MOS管的一些不一样。

 

关于三极管和MOS管的区别，咱们简单总结了几句话便当你们理解。

从性质上来讲：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。

从本钱上来讲：三极管低价，MOS管贵。

关于功耗问题：三极管损耗大。

驱动能力上的的不一样：MOS管经常使用于电源开关以及大电流地方开关电路。

 

理论上，就是三极管操做便当且价钱低廉，常常用于数字电路的开关控制当中。而MOS管用于高频高速电路，大电流场所，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央。因此普通来讲低本钱场所，普通应用的先思索用三极管，不行的话建议用MOS管。

 

理论上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工做方式才干明白。三极管是靠载流子的运动来工做的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正导游通电压(工程上普通觉得0.7v)。

 

但此时每一个pn结的两侧都会有电荷存在，此时假设集电极-发射极加正电压，在电场做用下，发射区的电子往基区运动(理论上都是电子的反方向运动)，因为基区宽度很小，电子很容易越过基区抵达集电区，并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)，为维持平衡，在正电场的做用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程相似一个雪崩过程。

 

集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工做原理。三极管工做时，两个pn结都会感应出电荷，当开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，假设这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需求时间。而MOS与三极管工做方式不一样，没有这个恢复时间，所以能够用做高速开关管。

 

下面针对一些电路设计当中会呈现的状况，列出了几种MOS管和三级管的选择规律：

(1)MOS管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件。在只容许从信号源取较少电流的状况下，应选用MOS管;而在信号电压较低，又容许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

 

(2)电力电子技术中说起的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管是应用一种多数载流子导电，因此称之为单极型器件，而三极管是既有多数载流子，也应用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

 

(3)有些MOS管的源极和漏极能够互换运用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

 

(4)MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工做，并且它的制造工艺能够很便当地把不少MOS管集成在一块硅片上，所以MOS管在大范围集成电路中获得了广泛的应用。

 

(5)MOS管具备较高输入阻抗和低噪声等优势，于是也被广泛应用于各类电子设备中。特别用MOS管作整个电子设备的输入级，能够得到普通三极管很难抵达的性能。

 

(6)MOS管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是同样的。本篇文章不同凡响的是，并无用过多的篇幅对MOS管和三极管在概念上的区别进行对比。而是从实践出发，用实际发生的状况和现象来对二者进行区分，比单纯概念性上的讲解更加容易理解并方便记忆