串口SRAM和并口SRAM的引脚区别

首先来看一下并口和串口的区别：

引脚的区别：

 串口SRAM（或其它存储器）一般有以下的示意图：

 
串口SRAM引脚

引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，通常遵循SPI协议，

并口SRAM引脚不少，串口SRAM引脚不多。
大部分SRAM是并口（parallel）操做的，也有少部分奇葩是串口协议的。并口的SRAM一般有以下的示意图：

 
并口SRAM引脚

引脚密密麻麻接近50个，包含地址、IO、使能信号、电源等。
其中地址一般和容量有关系，这里是1Mb的容量，地址有16个（A15-A0）;
其中IO一般是8的倍数，这里是16个（IO15-IO0）;
使能信号CE#，WE#，OE#，BHE#，BLE#，请原谅我用#代替上划线，上划线根本没法输入，MD；
电源信号：VCC/VSS.

电路分类的区别
并口SRAM是异步电路，没有时钟信号；
串口电路是同步电路，有时钟信号。

再来看看并口SRAM的应用场合。

并口SRAM一般速度都比较快，应用在不少高速场合，好比做为CPU的高速缓冲存储器（Cache），以下图所示：

SRAM处于计算机存储器金字塔的最顶端，在速度上，SRAM>DRAM>NAND。由于SRAM的操做条件比较简单，就是简单的MOS管打开，相互fighting或者传输值的过程，用core电压就能够实现。而DRAM要产生3v左右的高压，NAND的操做电压就更高了。

在面积上，SRAM存储单元6个管子（6T），相对于DRAM的1T1C以及NAND的1T而言，又是最大的。因此在价格上也是SRAM>DRAM>NAND。

有时候SRAM也会做为寄存器的替代，由于SRAM存储单元（6个管子）面积相对于寄存器（DFF）要小很多，若是在设计中须要用到几百Byte，使用寄存器的面积可能比SRAM大上好几倍。