常见嵌入式存储器区别
FRAM E2PROM FLASH SRAM 记忆类型 非易失性 非易失性 非易失性 易失性 数据写入方法 重写 字节单元擦除+写入 扇区单元擦除+写入 重写 数据写入周期 150ns 10ms 10μs 55ns 读写耐久性 1012（1万亿次） 106(100万次) 105(10万次) 无限 电荷泵电路 不需要 需要 需要 不需要 转自 EEWORLD
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