东芝、西数宣布新BiCS 3D NAND闪存明年上市：64层堆栈

三星在3D NAND闪存上量产时间最早，产能也是最高的，领先其他公司至少三年时间，其V-NAND技术的3D NAND已经发展到第三代了，48层堆栈。东芝、西数此前宣布四日市的新工厂竣工，并且早就开始生产3D NAND闪存了，现在双方又公布了其3D NAND闪存的最新进展——64层堆栈的BiCS 3D闪存已经开始出样，比之前的48层堆栈更先进，预计2017年上半年正式量产。 对于3D NAND闪存，

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