大功率可调谐半导体激光器总结（二）
1.参考文献：2010年 Broadly tunable high-power InAs/GaAs quantum-dot external cavity diode lasers 文章题目叫做宽调谐大功率InAs/GaAs量子点外腔激光器，他实现了最大480mw的输出功率以及1122-1324nm的调谐范围，采用的是littrow结构，实现高功率，对比了SOA芯片与增益芯片的不同，SOA芯片总是
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