SRAM DRAM时序分析

时间 2021-01-06

标签计算机系统繁體版

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SRAM时序 SRAM读周期 tRC:读周期，指对芯片连续两次读操作之间的最小间隔时间。 tA:从给出有效地址后到数据在外部数据总线上稳定出现所需的时间。 tCO:片选到数据输出延迟的时间。 tCX:片选到数据输出有效的时间。 tOTD：片选无效后数据还需在数据总线上保持的时间。 tOHA：地址失效后，数据线上的有效数据维持时间，以保证所读数据可靠。 SRAM写周期 tWC:连续两次写操作之间的最

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