【转载】关于深N肼
引用自：邓健. 12位100MSps低功耗SAR ADC的研究与设计[D]. 电子科技大学, 2017. 对于局部电路，所有的 NMOS 都做在 P 衬底上，噪声会通过衬底串扰到噪声敏感电路，如图 5-5(a)所示，使得器件的阈值电压受噪声的干扰，电流非线性更加明显；图 5-5(b)所示电路中，将噪声敏感电路的器件置于深 N 阱（Deep N-Well：DNW）中，由于 NW/DNW 将关键模块与
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