场效应管放大电路

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 N沟道增强型MOSFET 栅源加电压，在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。 漏源加电压，产生电压梯度，导致沟道夹断。预夹断的临界条件 输出特性 特性方程 可变电阻区                              饱和区   N沟道耗尽型MOSFET 栅源加负电压，在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。 输出特性   P沟道M

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