性能提升100万倍：复旦大学研发新型存储芯片，有望赶超镁光、三星

对于存储技术来说，目前主流的无论是NAND内存技术还是DRAM内存技术被镁光、三星、东芝等老长牵头吊打。当然了内存价格也是由他们说了算，比如去年末内存涨价。 当然吐槽归吐槽，国内也不是没有努力搞研发，目前复旦大学电子学院就有团队研发出一种新型的二维非易失忆性存储芯片，据悉它相比传统二维存储芯片性能高100万倍。而且性能也更强。 目前英特尔研发的3D XPoint闪存称性能能达到1000倍，相比于英

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