延续摩尔定律: 新型超平面锡氧半导体材料有望让芯片提速百倍

近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下，但是新材料的出现，或可让它迎来又一个拐点。美国犹他州大学的工程师们，已经发现了一种由一氧化锡制成、只有单原子厚度的新型平面材料。这种材料可让电荷以更快的速度通过，远胜硅与其它3D材料。相比之下，在传统电子设备上，电荷会以各个方向穿过晶体管、以及玻璃衬底上其它由硅层组成的部件。 采用锡氧材料打造的更快的半导体器件 直到近年，工程师们才更多地将目

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