IBM公司公布三层单元PCM-MLC，向3DX堆栈方案发起挑战

 利用Haralampos（Haris）Pozidis博士在IBM的非易失性存储器研究成果，IBM公司日前在IEEE国际存储器研讨会上披露了一整套技术细节，据称已经成功立足高温环境在4Mcell（相当于32 Mbit）相变存储器（简称PCM）阵列内实现可靠的三层单元存储效果，且其使用寿命周期可达100万次。 可以说IBM公司在三层单元PCM领域的成就、突破乃至发展转折点将成为重要的技术里程碑，意味

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