初级模拟电路：1-5 二极管的其余特性
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除了上面的伏安特性曲线之外，对于二极管，你还须要知道两个特性：二极管电容和反向恢复时间。这两个特性掌握了以后，那对于一般的二极管来讲，你该知道的基本上就算都知道了。性能
1. 二极管电容
若是你一生只作低频领域，那能够无论二极管电容。但那几乎是不可能的，随着如今电子电路和MCU芯片的主频愈来愈高，总会碰上中频和高频状况的。ui
重要的事情说三遍：设计
任何的电子器件都是对频率敏感的。3d
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当你电路的工做频率高到必定程度之后，即便是最基本的电阻也是靠不住的，也会随频率发生一些性能上的变化。那些你平时不用考虑的：电源、开关、甚至导线，在高频下都会发生性能变化，通通都要在设计时予以考虑。影响元器件高频性能的主要缘由，是元器件上固有的寄生电容和电感（任何器件都不多是完美的，有的器件以寄生电容影响为主，有的器件以寄生电感影响为主，还有的两种都要考虑）。因为这些寄生电容和电感很是微小，在中低频时能够忽略不计，但在高频时就会显现出影响。ci
对于二极管来讲，寄生电容的影响比较大，因此要稍微了解一下。在二级管中，存在两种电容效应，分别是：势垒电容（transition capacitance）和扩散电容（diffusion capacitance）。get
（1） 势垒电容
在二极管PN结的耗尽区，一边是正电荷，一边是负电荷，而耗尽区内没有载流子，可视为一种绝缘体，如此就构成了一个基本的电容结构，这个电容就称为势垒电容CT。这个电容的值不是很大，通常为几个皮法级，且会随着反偏电压的增大略微减少。it
（2） 扩散电容
当二极管正偏电压较小时，耗尽区两边的载流子会因为电源的压迫而注入耗尽区。在二级管还没导通时，从外部看上去就像是PN结的两边被注入了载流子，但其间却没有电流经过，这个过程就好像是给一个虚拟的电容充电同样，这个等效电容就称为扩散电容CD。扩散电容只有在正偏时才有，反偏时没有。
同前面的PN结原理同样，咱们也不必定要去深究这两种电容的产生机理，只要知道其外部表现就能够了，其电容随外部偏置电压变化的曲线见下图所示：
图 1-5.01
2. 反向恢复时间
因为二极管中p区和n区的载流子不一样，当二级管处于正偏且导通状态时，若是外加电压忽然切换到反偏状态，此时电流不会忽然截止，而是会忽然反转，而且持续反向导通一段时间，而后才截止，这个时间称为反向恢复时间（reverse recovery time），记做trr。其产生的缘由以下：
咱们在1-2节讲过，在正偏时，n区的自由电子到达p区后，会与p区的空穴复合，而后在价带中一路运动到电源正极，此时p区的价带中存在着大量的从n区过来的活跃的价带电子。当外加电压忽然反偏后，这些数量众多的活跃价带电子受外电源电场力的驱使，也会忽然向反方向运动，而后轻易穿过PN结，从而造成一个反向的电流。这个反向电流会持续一段时间，直到p区中的那些活跃的价带电子所有回到n区为止。此时，p区中的电子从新变为少数载流子，仅能维持一个微弱的反偏电流。相对应的，n区中空穴的状况也是相似，这里再也不赘述。
同前面的二极管电容同样，咱们不必定要去深究反向恢复时间的详细的原子级产生机理，只要知道其外部表现就能够了。反向电流的幅值和持续时间见下图所示：
图 1-5.02
在 t=0 时刻，外加电压由正偏转为反偏，此时二极管电流也马上反转，而且会持续一个时间tS（storage time），而后电流逐渐变小，这个电流逐渐变小的时间记为tt（transition interval），反向恢复时间 trr是这二者之和。高速二极管的反向恢复时间通常为几个纳秒数量级，普通低速二极管不标反向恢复时间。反向电流I反与I正大致在同一个数量级，具体多大取决于正偏电压和反偏电压的大小。
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