为高性能FPGA平台选择合适的存储器

从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM(SDRAM)和减少延迟的DRAM(RLDRAM)。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展,约为48ns,这与21MT/s的RTR相关。其他基于DRAM芯片的存储设备已被设计为以密度为代价提高tRC。例如RLD RAM3的RC为8ns,与125MT/s的RTR相关。从本质上讲DRAM芯片是针对涉及确定性计算算法的顺序访问进行优化的
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