选择用于氮化镓FET的栅极驱动器IC

　　随着宽带的可用性(WBG)设备，很多电源设计人员已经开始研究基于氮化镓上硅场效应管的优点(GaN-on-Si)为各种新的设计和新应用。与客户保持一致，一些供应商已经开始迎合这种需求。然而，在开始这条路径之前，重要的是理解硅和GaN晶体管之间的关键差异，因为它们的驱动要求相应地不同。 　　与硅MOSFET，氮化镓基场效应晶体管(GaN)运行的速度快得多在较低的栅极阈值电压。此外，对于GaN FE

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