在SRAM、FLASH中调试代码的配置方法（附详细步骤）

由于STM32的FLASH擦写次数有限（大概为1万次），因此为了延长FLASH的使用时间，咱们平时调试时能够选择在SRAM中进行硬件调试。除此以外，SRAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，因此下载程序到SRAM中的速度较快。

因此咱们颇有必要创建两个版本的工程配置，在SRAM中调试程序完毕后，再把代码下载到FLASH中便可。这篇笔记主要分享在keil5中配置FLASH调试与SRAM调试的详细配置方法及如何切换两种配置。

本篇笔记以STM32F103ZET6为例。其FLASH大小为512KB，SRAM的大小为64KB。FLASH基地址为0x08000000，SRAM基地址为0x20000000。在STM32F10XXX里，能够经过BOOT一、BOOT0引脚来选择三种不一样的模式：

咱们要在FLASH中进行硬件仿真调试仍是在RAM中进行硬件仿真调试须要对这两个boot脚进行对应的设置以及程序下载的地址进行设置。

在FLASH中进行硬件仿真调试

一、硬件设置

BOOT0配置为0，BOOT1随意设置。

二、keil设置

本文以keil5为例。步骤以下：

（1）点击以下按钮，修改target的名称：

target的名称是能够随意更改的，咱们这里改成FLASH。

（2）点击Project->Options for Target Flash...（也能够点击魔术棒那个图标）进行配置。首先对Target选项卡设置：

设置IROM1的起始地址为0x8000000，大小为0x80000，即FLASH的基地址与大小。设置IRAM1为0x20000000，大小为0x10000，即SRAM的基地址与大小。

（3）Debug选项设置：

调试器根据实际进行选择，咱们这里使用的调试器是ULINK2。其它的按默认设置便可，而后点击Settings:

（4）编译，而后按Ctrl+F5进入调试界面：

而后点击全速运行：

在Disassembly窗口中可看到地址为0x0800xxxx，说明代码烧进了FLASH中，这时候就能够像使用其余C语言IDE调试C语言程序同样打断点、单步运行咱们的STM32程序啦。

在SRAM中进行硬件仿真调试

在SRAM的仿真调试配置比FLASH中的配置要麻烦一点，我配置的时候遇到很多问题~

一、硬件设置

BOOT0配置为1，BOOT1配置为1。

二、keil设置

（1）新建一个target，并修更名称为SRAM：

（2）切换至SRAM Target：

（3）点击Project->Options for Target SRAM ...（也能够点击魔术棒那个图标）Target选项卡设置：

设置IROM1的起始地址为0x2000000，大小为0x8000（32KB）；设置IRAM1的起始地址为0x2008000，大小为0x8000（32KB）。即把64KB的SRAM分为32KB的FLASH（固然这是SRAM虚拟出来的FLASH，掉电易失）和16KB的RAM。

（4）C/C++选项设置：

为何在RAM中调试要设置这个宏而在FLASH中调试却不须要？这是由于咱们的中断向量表默认位于FLASH中，而此时咱们要在RAM中进行调试，因此须要把中断向量表拷贝到RAM中，相关代码在system_stm32f10x.c的SystemInit函数中：

其实system_stm32f10x.c文件中也有宏VECT_TAB_SRAM相关的代码：

把这行代码打开便可把中断向量表拷贝到RAM中。可是这里选择在C/C++选项选项里添加宏，由于这样能够保证SRAM版本与FLASH版本代码的一致性。

（5）Debug设置：

与在FLASH中调试不一样的是，这里须要加入.ini文件：

这个.ini能够本身建立（也能够在芯片支持包里找到），这里咱们建为Dbg_RAM.ini。文件里的内容以下：

其中这里的第11行是须要根据实际进行修改的，须要把工程编译得出的.axf格式文件的路径及其文件名填到这里。这里由于咱们这里的的.ini文件在.axf的上一级目录：

因此此处以./Objects来表示。若是以为麻烦的话，能够把.axf文件与.ini放在同一个目录下。

其它的按默认设置便可，而后点击Settings，并进行以下设置:

图中咱们须要勾选Verify Code Download及Download to FLASH选项，也就是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部 SRAM 中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真。 (至于为何 FLASH 版本的程序不须要勾选，不太清楚) 。

Download Function中的擦除选项配置为Do not Erase。这是由于数据写入到内部 SRAM 中不须要像 FLASH 那样先擦除后写入。 Programming Algorithm 的地址要与咱们Target选项卡里设置的地址一致，不然可能会出现以下错误：

（6）编译，而后按Ctrl+F5进入调试界面，而后点击全速运行：

在Disassembly窗口中可看到地址为0x2000xxxx，说明代码烧进了SRAM中，这时候就能够像使用其余C语言IDE调试C语言程序同样打断点、单步运行咱们的STM32程序啦。

以上就是在FLASH中调试与在SRAM中调试的设置方法，调试代码时能够选择SRAM版本的配置，调试完成再切换回FLASH版本的配置，把程序下载到FLASH中。切换方法：

在RAM中调试的优缺点

如下来自《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。

优势：

一、载程序很是快。 RAM 存储器的写入速度比在内部 FLASH 中要快得多，且没有擦除过程，所以在 RAM 上调试程序时程序几乎是秒下的，对于须要频繁改动代码的调试过程，能节约不少时间，省去了烦人的擦除与写入 FLASH 过程。另外，STM32 的内部 FLASH 可擦除次数为 1 万次，虽然通常的调试过程都不会擦除这么屡次致使 FLASH 失效，但这确实也是一个考虑使用 RAM 的因素。

二、不改写内部 FLASH 的原有程序。

三、对于内部 FLASH 被锁定的芯片，能够把解锁程序下载到 RAM 上，进行解锁。

缺点：

一、存储在 RAM 上的程序掉电后会丢失，不能像 FLASH 那样保存。

二、SRAM空间较小。

以上就是本次分享的关于RAM调试与FLASH调试的笔记，更多的相关原理、细节可查阅《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。可在本公众号嵌入式大杂烩聊天界面回复关键字：调试，进行获取本笔记对应工程及《【野火】零死角玩转STM32—F429挑战者V2.pdf》。本篇笔记若有错误欢迎指出！谢谢

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