一款GaN HEMT内匹配功率放大器设计过程详解

一款GaN HEMT内匹配功率放大器设计过程详解 张书源，钟世昌 发表于 2020-01-22 16:55:00 模拟技术 +关注 0 引言 近年来，宽禁带材料与微波功率器件发展非常迅猛。GaN材料作为第三代半导体的典型代表，具有很多优异的特性，如禁带宽度宽、击穿场强高、热传导率高和峰值电子漂移速度高，所以GaN材料可以很好地满足高温、高频和高功率等工作要求。同时由于目前的电子整机系统要求功率放大

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