常用半导体器件之二极管

1.PN结的伏安特性 U（BR）反向击穿电压 2.PN结的电容效应 耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应成为扩散电容Cd。 它与流过PN结的正向电流i，温度的电压当量UT以及非平衡少子的寿命t有关。i越大、t越大、UT越小，Cd就越大。 结电容Cj = Cb+Cd，结电容通常为（1pF-几百pF），对低频信号大容抗，只有在

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