光耦的饱和导通情况下VCE和IC，If关系

由光耦的特性可知，其主要的参数有CTR，If，IC以及开关延迟时间等具体参数，参考仙童半导体的光耦的说明书；

4N*M的6引脚半导体的说明书中可知：

关于光耦的具体If，IC，Vout等具体参数之间的关系，特别是饱和导通应用，可以参考：

https://blog.csdn.net/soga235/article/details/107058384

由于有时光耦的的导通并不一定是完全饱和的，即光耦是电流驱动的，光耦输出支路的电压和电流受限于具体的光耦电流驱动能力，光耦饱和导通时的VCE（一般为0.4V，0.6V等），但由于有时光耦的驱动能力不够，会使光耦不可以饱和导通，从而VCE处的电压要随着Ic 的减少而减少，从而相应的VCE处的电压输出电路的电压值会相应的受到影响，特别是后面应用于比较器的电压比较，同时也需要参考迟滞比较器电路，该电路会涉及到Uh 和UL。

VCE（saturation)同时也和温度的变化有关，所有的光耦参数都需要仔细参考datasheet中相应的实测特性。例如该曲线：

光耦的输入输出特性需要仔细参考说明手册。