汽车导航系统应用富士通FRAM铁电存储器MB85R2001
MB85R2001是一种富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存储单元组成，这些单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术创建。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。MB85R2001中使用的存储单元可用于1010次读/写操作，与Flash存储器 和E2PROM支持的读和写操作数量相比，有了显着改进。使用与常规异步SRAM兼容的伪SRAM接口。 引脚 富士通的 MB85R200
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