外扩SRAM IS62WV102416EBLL

IS62WV102416EBLL是低功耗16M位静态SRAM，以1024Kx16位组织。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或CS2为低电平（取消选择）或处于低电平时，CS2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过CMOS输入电平来降低功耗。 使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩

>>阅读原文<<