H桥，逆变器mos管，igbt烧坏缘由分析

一：mos管，igbt损坏的缘由有两种，过流和过压。 二：mos管过流 2.1：什么是过流，即mos能过经过的额定电流，在mos管的芯片手册上会有相关的参数说明，若是mos管的电流过大，会产生极高的热量，以致于损坏芯片。安全 2.2：实际案例分析spa     上图是一个逆变器的H桥逆变电路，经过spwm将直流电转换为正弦波交流电。方法 实际使用过程当中，无论是轻负载仍是重负载，T3，T6，T4，

>>阅读原文<<