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百为STM32开发板教程之十一——NOR FLASH 参考文档： 百为stm32开发板光盘\st官方参考资料\Application notes\AN2784 Using the high-density STM32F10xxx FSMC peripheral to drive external memories.pdf 百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\M29W128G.pdf 百为stm32开发板光盘\芯片数据手册\STM32F10xxx参考手册CD00171190.pdf 实验目的: 实现擦除和读写M29W128GH NOR FLASH的第二个块 主要内容: 1、了解STM32的FSMC接口 2、了解M29W128GH NOR FLASH的相关操做 3、编程实现擦除并读写M29W128GH NOR FLASH的第二个块  1、了解STM32的FSMC接口 一、STM32 FSMC功能框图： FSMC主要包括有：AHB接口(包含FSMC配置寄存器) ， NOR闪存和PSRAM控制器，NAND闪存和PC卡控制器，外部设备接口   二、STM32 FSMC外部设备地址映射： 从FSMC的角度看，能够把外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块，见下图 ● 存储块1用于访问最多4个NOR闪存或PSRAM存储设备。这个存储区又被划分为4个NOR/PSRAM区，并有4个专用的片选。  ● 存储块2和3用于访问NAND闪存设备，每一个存储块链接一个NAND闪存。  ● 存储块4用于访问PC卡设备  每个存储块上的存储器类型是由用户在配置寄存器中定义的。   其中存储块1用于NOR/PSRAM存储设备。这个范围又能够分为4个小范围 ，每一个小范围对应STM32的一个管脚/片选，FSMC_NEx(x=1,2,3,4)   (1) HADDR是须要转换到外部存储器的内部AHB地址线。 咱们百为STM3210E-EVAL开发板的M29W128 NOR FLASH用的是FSMC_NE2 因此地址为0x60000000 | 0x1<<26 = 0x64000000, 其中0x1就是内部的地址线HADDR[27:26]的值01。 HADDR[25:0]包含外部存储器地址。HADDR是字节地址，而存储器访问不都是按字节访问，所以接到存储器的地址线依存储器的数据宽度有所不一样，以下表：   因此在输出NOR FLASH地址时要左移动1位： NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA); #define ADDR_SHIFT(A) (Bank1_NOR2_ADDR + (2 * (A))) 三、STM32的FSMC与M29W128GH的硬件链接 百为STM3210E-EVAL开发板STM32和M29W128GH的链接电路图以下：   STM32和M29W128GH管脚链接对应以下：   STM32配置NOR FLASH的IO端口及对应FSMC模块初始化代码： void FSMC_NOR_Init(void) {   FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;   FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  p;   GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;   RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE |                           RCC_APB2Periph_GPIOF | RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE);   /*-- 配置GPIO  ------------------------------------------------------*/   /* 配置NOR 数据线D[15：0] */   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 |                                 GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;   GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;   GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;   GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 |                                 GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 |                                 GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;   GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);   /* 配置NOR 地址线A[22：0] */   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 |                                 GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 |                                 GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;   GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 |                                 GPIO_Pin_3 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5;                               GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13;   GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_3 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_6;   GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);   /* 配置NOE 和NWE  */   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5;   GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);   /* 配置NE2  */   GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9;   GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);   /*-- 配置FSMC ----------------------------------------------------*/   p.FSMC_AddressSetupTime = 0x05;   p.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;   p.FSMC_DataSetupTime = 0x07;   p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;   p.FSMC_CLKDivision = 0x00;   p.FSMC_DataLatency = 0x00;   p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_B;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM2;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_NOR;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsyncWait = FSMC_AsyncWait_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p;   FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p;   FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);   /* 使能FSMC Bank1_NOR Bank */   FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM2, ENABLE); } 四、STM32 FSMC的NOR读写时序： 读操做时序：   写操做时序：   这里就是FSMC的核心内容了，从时序图能够看到： 读操做时输出A[25：0]信号和NEx，NOE等信号，输出完这些信号后，器件就会在D[15：0]总线上返回咱们要读的数据了 写操做时输出A[25：0]信号和NEx，NWE等信号，输出完这些信号后，咱们就能够在D[15：0]总线上发送要写的数据了 而这些信号的控制是由FSMC来自动控制的，不须要咱们手动去控制每一个管脚，咱们只要在程序里像操做内存同样操做就能够了 例如： 读数据： Data = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x0000); 写数据： *(vu16 *)(Address) = Data; 2、M29W128GH NOR FLASH的相关操做 一、M29W128GH简介 M29W128GH一共有128个块，每一个块有128K个字节（64K字）。其中最后一个块能够有VPP/WP管脚设定写保护，当VPP/WP为低电平时写保护。 二、操做命令表   （1）读ID命令 从命令表能够看出读ID命令，须要输出3个地址和数据序列。 其中输出3个序列后，再输出指定的地址就能够获得对应的数据：  具体以下：void FSMC_NOR_ReadID(NOR_IDTypeDef* NOR_ID){  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA);  //输出地址0x0555,数据0x00AA  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055);  //输出地址0x02AA,数据0x0055  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x0090);  //输出地址0x0555,数据0x0090  NOR_ID->Manufacturer_Code = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x0000);  //上面Table7中A3，A2，A1，A0 = 0x0000，便可读出数据0020h  NOR_ID->Device_Code1 = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x0001); //上面Table7中A3，A2，A1，A0 = 0x0001，便可读出数据227Eh  NOR_ID->Device_Code2 = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x000E); //上面Table7中A3，A2，A1，A0 = 0x000E，便可读出数据2221h  NOR_ID->Device_Code3 = *(vu16 *) ADDR_SHIFT(0x000F); //上面Table7中A3，A2，A1，A0 = 0x000F，便可读出数据2201h}（2）复位/返回读模式命令NOR_Status FSMC_NOR_ReturnToReadMode(void){  NOR_WRITE(Bank1_NOR2_ADDR, 0x00F0);  //输出任意地址，数据0x00F0  return (NOR_SUCCESS);}（3）擦除块命令（Block Erase）NOR_Status FSMC_NOR_EraseBlock(u32 BlockAddr){  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA);  //输出地址0x0555,数据0x00AA  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055);  //输出地址0x02AA,数据0x0055  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x0080);  //输出地址0x0555,数据0x0080  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA);  //输出地址0x0555,数据0x00AA  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055);  //输出地址0x02AA,数据0x0055  NOR_WRITE((Bank1_NOR2_ADDR + BlockAddr), 0x30);  //擦除指定的地址BlockAddr的内容  return (FSMC_NOR_GetStatus(BlockErase_Timeout));}（4）写命令NOR_Status FSMC_NOR_WriteHalfWord(u32 WriteAddr, u16 Data){  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00AA);  //输出地址0x0555,数据0x00AA  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x02AA), 0x0055);  //输出地址0x02AA,数据0x0055  NOR_WRITE(ADDR_SHIFT(0x0555), 0x00A0);  //输出地址0x0555,数据0x00A0  NOR_WRITE((Bank1_NOR2_ADDR + WriteAddr), Data);  //写16 bit数据到指定地址WriteAddr  return (FSMC_NOR_GetStatus(Program_Timeout));}（5）读命令，不存在读命令了，直接读指定地址数据就能够了*pBuffer++ = *(vu16 *)((Bank1_NOR2_ADDR + ReadAddr));3、编程实现擦除并读写M29W128GH NOR FLASH的第二个块/* main.c */  /* 打开FSMC时钟 */  RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC, ENABLE);  /* 初始化FSMC Bank1 NOR/SRAM2 */  FSMC_NOR_Init();  /* 读M29W128GH ID */  FSMC_NOR_ReadID(&NOR_ID);  /* 复位/返回读模式 */  FSMC_NOR_ReturnToReadMode();  /* 擦除要写入的块 */  FSMC_NOR_EraseBlock(WRITE_READ_ADDR);  /* 填充要写入的数据到TxBuffer */  Fill_Buffer(TxBuffer, BUFFER_SIZE, 0x3210);  /* 写数据到NOR FLASH中 */  FSMC_NOR_WriteBuffer(TxBuffer, WRITE_READ_ADDR, BUFFER_SIZE);  /* 从NOR FLASH中读出数据 */  FSMC_NOR_ReadBuffer(RxBuffer, WRITE_READ_ADDR, BUFFER_SIZE);    /* 比较写入的数据和读出的数据看是否相等*/     for (Index = 0x00; (Index < BUFFER_SIZE) && (WriteReadStatus == 0); Index++)  {    if (RxBuffer[Index] != TxBuffer[Index])    {      WriteReadStatus = Index + 1;    }  }   if (WriteReadStatus == 0)  {     /*  若是相等，点亮LED1 */    GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_6);  }  else  {    /* 不然，点亮LED2 */    GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_7);       }