研究人员开发一种新的MRAM单元结构

MRAM存储芯片能够抵抗高辐射，能够在极端温度条件下运行，而且能够防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军事及太空应用，这些对于MRAM存储芯片开发人员来讲是重要的部分。

东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构，该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻（USMR）。新的单元结构只有两层。这可能致使成本更低的MRAM器件。

自旋霍尔效应致使电子在材料的侧面以必定的自旋积累。经过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合，研究人员设法制造出具备巨型USMR的器件。

MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具备成为通用存储器的潜力-可以将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一块儿，同时始终保持非易失性和高能效的特色。