EEPROM与内存Flash消耗能量计算

本篇文章要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。 首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5 ms，写入电流为3 mA（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作零）。 •写入的数据量适合一页，并且使用块写入功能进行写入。 •EEPROM的写入时间仅是执行EEP

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