MOS管 电源防反接

MOS管型防反接保护电路安全 图3利用了MOS管的开关特性,控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路,因为功率MOS管的内阻很小,如今 MOSFET Rds(on)已经可以作到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。ui   极性反接保护将保护用场效应管与被保护电路串联链接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别链接被保护电
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