机组概念——RAM

半导体随机存储器RAM 半导体的类型和特点 关于DRAM的问题 1.DRAM多久需要刷新？ 刷新周期：一般为2ms 2.每次刷新多少存储单元？ 以行为单位，每次刷新一行存储单元。 3.为什么要用行列地址？ 减少选通线的数量； 存储器的简单模型是以行模型，n位地址需要用2^n根选通线； 而行列地址译码器将地址拆分为（DRAM行，列地址等长），则n位地址只需要2^n/2(行) +2^n/2(列)。 4

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