什么是STT-MRAM？

随着有但愿的非易失性存储器架构的可用性不断增长，以增长并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。经过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）做为嵌入式MRAM技术的领先趋势来加强动力.
 
什么是STT-MRAM？
 
嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不一样，适合特定的应用，但STT-MRAM彷佛已成为主流。
 
STT-MRAM是一种电阻存储技术，其中材料中电子的磁性自旋变化会产生可测量的电阻率变化。从概念上讲，每一个单元由两个磁体组成：一个是固定的，另外一个是能够翻转的。当磁体彼此平行时，电阻低。当第二个磁铁反转方向时，电阻很高。
 
因为磁性隧道结（MTJ）器件可以经过仅三个额外的掩膜嵌入芯片的线路后端（BEOL）互连层，所以STT-MRAM技术享有低功耗和低成本的优点。在商业代工厂中，STT-MRAM的支持正在加速发展，GlobalFoundries，英特尔，三星，台积电和联电都已公开宣布为28nm / 22nm技术的SoC设计人员提供产品。

 
系统设计师正在将STT-MRAM技术用于低功耗MCU设计（例如IoT穿戴式设备），这些设计能够从较小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM一般会为这些早期采用者取代嵌入式闪存。对于自动驾驶雷达SoC，STT-MRAM的数据保留和密度是显着的优点。在不久的未来，STT-MRAM将用于最终应用（例如超大规模计算，内存计算，人工智能和机器学习）中替代SRAM。