Serial Nor Flash
本文以旺宏 MX25L6433F 芯片为例加以说明，该芯片为64Mb serial Nor flash。理解本文时可能需要对照其datasheet，
一、名词解释
Serial： 相对parallel而言，只有#CE、SCLK、DI、DO、#WP、#HOLD等信号线。
Nor： Not or，或非，与Nand相对的flash的架构，基本结构如下图所示。
二、器件操作
在SCLK上升沿采数据SI，在SCLK下降沿推数据SO。
mode 0：idle时SCLK低电平。mode 3：idle时SCLK高电平。
备注：SPI有4中mode，0~3。
三、地址映射
另外，1 page = 256 Byte
四、操作命令
1、Read Operation（读）
A、Read Data Bytes (READ)（03h）
操作步骤： #CS拉低，SI上在SCLK的上升沿送进24 bit的任意地址后，SO在CLK的下降沿推出以Byte为单位的data，地址自动增加，只要#CS一直为低，地址直到结束后仍会回到地址0继续推出data。
B、Read at Higher Speed (FAST_READ) Sequence (Command 0Bh)
与Read Data Bytes（03h）的区别在于，在24 bit address之后需要1 byte的dummy cycle，03h的最高速率是fR=50MHz，0Bh的最高速率是fC=133MHz。
C、Dual Read Mode (Command 3Bh)和Quad Read Mode (Command 6Bh)
与FAST_READ（0Bh）的区别在于，3Bh的data从SIO1和SIO0同时推出来，而6Bh的data从SIO0~3同时推出来。下图为DREAD时序图。
D、2 x I/O Read Mode (Command BBh)和4 x I/O Read Mode(Command EBh)
与Dual Read Mode (3Bh)和Quad Read Mode (6Bh)的区别在于，BBh和EBh的24 bit address从SIO0~1或SIO0~3同时送进。另外，EBh支持Performance Enhance Mode。下图为2 x I/O Read时序图。
E、Burst Read
在burst read之前需要设置burst长度，Set Burst Length（C0h或77h）来设置burst长度wrap depth，wrap around指的是到了结束地址后会从开始的地址重新开始。一旦设置了burst长度，今后的read命令都将遵守burst read mode，取消burst read只要重新下Set Burst Length，将data写入1xh即可。
Set Burst Length（C0h或77h）时序图如下：
2、Program Operation（写）
写操作需要WRITE ENABLE (06h)命令将WEL bit置起来，然后PAGE PROGRAM (02h) 将data经过SI信号线写入。由于写的速度是比较慢的，所以在一次写入之后，必须等待，通过WIP bit可以查看写入完成与否。
A、Page Program (PP) (Command 02h)
针对同一个page（256 byte）操作，
情况1： 超出256 byte写入的话，只取最后的256 byte data写入，前面的丢弃。
情况2：24 bit address的[7:0]是page地址，当[7:0]都为0的话，可以写入整个page的data，即256 byte的data；当[7:0]不为0的话，超过该page的data将会回到该page的起始地址写入。
情况3：可以写入小于page边界的data，data最少为1 byte，那就是byte写入了。
B、4 x I/O Page Program (4PP) (Command 38h)
与Page Program的区别在于，38h的地址和数据通过SIO0~3送入和推出，与4 x I/O Read Mode(Command EBh)相对应。
3、Erase（擦）
在Erase之前必须WREN，SE、BE、BE32K和CE全部需要WREN。
A、Sector Erase (20h)、Block Erase (D8h)和Block Erase 32KB (52h)
sector、Block 64KB和Block 32KB参见地址映射。
B、Chip Erase (CE) (Command 60h or C7h)