国产SRAM芯片XM8A51216随机X型存储器

XM8A51216采用异步SRAM接口并结合独有的XRAM免刷新专利技术，在大容量、高性能和高可靠及品质方面彻底能够匹敌同类SRAM，具备较低功耗和低成本优点，能够与市面上同类型SRAM产品硬件彻底兼容，而且知足各类应用系统对高性能和低成本的要求，XM8A51216也能够当作异步SRAM使用，称为新型国产SRAM芯片也不为过,

XM8A51216是基于TLC DRAM（三态 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）专利技术而成的新型存储器。与传统的DRAM和SRAM不一样,

XM8A51216具备如下几个技术特色：
一、数据读取速率快于DRAM产品10倍，延时10ns左右；
二、容量覆盖Megabit到Gigabit；
三、能够节省40%左右的存储阵列功耗；
四、从用户端不须要考虑刷新机制，能够随时访问。

XM8A51216封装图