嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)是现代SoC中的重要组成部分;伴随着工艺前进的脚步,对于SRAM的研究也从未终止过。其中双端口SRAM能够为系统提供更高的通讯效率和并行性,随着系统吞吐率的提高应用也愈来愈普遍。
从用途来看SRAM能够分为独立式SRAM和嵌入式SRAM(e-SRAM),其中独立式SRAM主要应用在板级电路中,而集成到芯片中的则称为嵌入式SRAM;上述中的Cache便属于嵌入式SRAM。
从读写端口的个数看,SRAM主要可分为单端口SRAM、两端口SRAM(2P-SRAM)和双端口SRAM等,后二者是基于稳定性和带宽的要求发展起来的。
另外从输入信号有无时钟来看,SRAM可分为同步SRAM和异步SRAM。前者的各输入信号在时钟的上升沿被采样,而后根据采样的信号对电路进行控制;而异步SRAM是根据某些输入信号的变化对电路发起操做。虽然异步SRAM功耗小,但速度较慢、控制也复杂,而同步SRAM更符合用时钟进行同步的SoC,因此嵌入式的SRAM可能是同步类型的。
单端口、两端口和双端口SRAM三者除了存储单元外的其它部分都是大同小异的,在总体结构、存取方法上都极其相似,因此本章主要针对同步单端口SRAM的基本电路结构进行研究分析。
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